中国反光膜标准是GB/T18833-2012,《道路交通反光膜》。反光膜按照其光度性结构和用途,分为7种类型。I类,通常为透镜埋入式玻璃珠型结构,称工程级反光膜,使用寿命一般为7年,可用于长久性的交通标志和作业区设施。II类,通常为透镜埋入式玻璃珠型结构,称超工程级反光膜,使用寿命一般为10年,可用于耐久性的交通标志恶化作业区设施。III类,通常的密封胶囊式玻璃珠型结构,称较强级反光膜,使用寿命一般为10年,可用于长久性的交通标志和作业区设施。IV类,通常为微棱镜结构,称较强级反光膜,使用寿命一般为10年,可用于长久性的交通标志、作业区设施和轮廓标V类,通常为微棱镜结构,称大角度反光膜,使用寿命一般为10年,可用于长久性的交通标志、作业区设施和轮廓标。VI类,通常为微棱镜结构,有金属镀层,使用寿命一般为3年,可用于轮廓标和交通柱,无金属镀层时也可用于作业区设施和字符较少的交通标志。VII类,镀铝包装膜,通常为微棱镜结构,柔性材质,镀铝包装膜、使用寿命一般为3年,可用于临时性的交通标志和作业区设施,镀铝包装膜。镀膜产品有光学多层介质膜、镀铜膜、镀铝膜等各种金属膜。镀铝包装膜
真空镀铝膜反应磁控溅射,以金属、合金、低价金属化合物或半导体材料作为靶阴极,在溅射过程中或在基片表面沉积成膜过程中与气体粒子反应生成化合物薄膜,这就是反应磁控溅射。反应磁控溅射普遍应用于化合物薄膜的大批量生产,这是因为:(1)反应磁控溅射所用的靶材料(单元素靶或多元素靶)和反应气体(氧、氮、碳氢化合物等)纯度很高,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。(2)通过调节反应磁控溅射中的工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性。镀铝包装膜真空镀铝膜可采用屏蔽式进行部分镀铝。
镀膜的泵用于进片室可以免油蒸汽对基片的污染,并可防止活性气体周期性的混入镀膜室内。在溅射镀膜中尽量抑zhi油蒸汽的污染的必要性应是无可争议的。为了保证每个溅射室能在独自的气氛下工作,相邻的溅射室之间应采取气氛隔离措施。这可通过狭缝装置来达到隔离的目的。所谓狭缝是用两块横贯室体的钢板水平围成的长200~300mm,高10~12mm的空间,这是一种流导模型,在分子态下具有很小的传输几率。狭缝所处位置的室体横截面,除了缝外完全隔断。这样两道狭缝相距40~50cm设置便可形成一种物理上的隔离。
镀膜磁控溅射,磁控溅射又称为高速低温溅射。在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子(如Ar+),在靶阴极电场的加速下,轰击阴极材料,使材料表面的原子或分子飞离靶面,穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移极终形成薄膜。与二极溅射相比较,磁控溅射的沉积速率高,基片升温低,膜层质量好,可重复性好,便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件:(1)建立与电场垂直的磁场;(2)磁场方向与阴极表面平行,并组成环形磁场。透镜埋入式反光膜一直被成功地用来制作交通标志。
真空镀铝膜反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小,而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热,因此对基板材料的限制较少。反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜,并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。磁控溅射镀膜原理:磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置100~1000Gauss强力磁铁,真空室充入1~10Pa压力的惰性气体(Ar),作为气体放电的载体。在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响。透镜密封式反光膜内部真空支架结构还解决了由于温度变化导致标志牌上凝结露水的问题。镀铝包装膜
真空镀铝膜保证了包装的密封性能。镀铝包装膜
真空镀铝膜在平面磁控靶结构原理中可以看出,磁控溅射源实质上是在二极溅射的阴极靶后面设置了磁铁,磁铁在靶面上产生水平分量的磁场。离子轰击靶材时放出二次电子,这些电子的运动路径很长,被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内沿跑道转圈,在该区中通过频繁地碰撞电离出大量Ar+用以轰击靶材,从而实现了高速溅射。电子经数次碰撞后能量逐渐降低,逐步远离靶面,极终以很低的能量飞向阳极基体,这使得基体的升温也较低。由于增加了正交电磁场对电子的束缚效应,故其放电电压(500~600V)和气压(10-1Pa)都远低于直流二极溅射。镀铝包装膜
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